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BSC105N10LSF G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3900pF @ 50V; 功率_最大：156W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

BSC105N10LSF G供应商

5NQ471KOBAM
陶瓷 AVX Corporation 径向，圆盘 CAP CER 470PF 500V 10% RADIAL
BLF573S,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR RF LDMOS SOT502B
BSC100N10NSF G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
BQ294582DRVT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON
B7A-T6C1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-WDFN 裸露焊盘 TERM BLOCK PLC 16POS PNP INPUT
AS500106
配件 Cherry 6-WDFN 裸露焊盘 TLAPS MAGNET CARRIER
B41022A4226M
电容器 EPCOS Inc 22UF 16V 5X7 SINGLE END
5AK1R5CDAAI
陶瓷 AVX Corporation 径向，圆盘 CAP CER 1.5PF 100V RADIAL
5NQ821KOCAM
陶瓷 AVX Corporation 径向，圆盘 CAP CER 820PF 500V 10% RADIAL
BQ294602DRVT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT PROT 1CELL LI-ION 6SON
B7A-T6C6
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-WDFN 裸露焊盘 TERM BLOCK PLC 16POS PNP INPUT
AS-5002-A
支架 - 配件 Bud Industries 6-WDFN 裸露焊盘 SLIDE 3/4 EXTENSION 20" PAIR
5NQ821KOCAM
陶瓷 AVX Corporation 径向，圆盘 CAP CER 820PF 500V 10% RADIAL
B41022A6106M
电容器 EPCOS Inc 10UF 50V 6.3X7 SINGLE END
BSC109N10NS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON

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